在一些关于内存的文章中，我们往往会看到诸如“5-5-6-15”、“4-4-4-12”这样的数字，这些数字代表了什么呢？对于内存的性能有什么影响呢？

这串数字叫做内存的时序参数，一般数字“A-B-C-D”分别对应的是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。优化内存的时序参数对PC性能的提高有很大帮助，优化过程是通过在BIOS中的调节来实现的。

1. CL：内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。较低的CL周期能减少潜伏周期以提高工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CL参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数调大。

2. tRCD：行寻址至列寻址延迟时间。数值越小，性能越好。

3. tRP：内存行地址控制器预充电时间。预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4. tRAS：内存行有效至预充电的最短周期。调整这个参数需要结合具体情况而定，并不是说越大或越小就越好。

或许您看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解得非常透彻，这个并不影响您选择什么规格的内存，以及如何最大限度地在BIOS中优化您的内存参数。最基本的，您应该知道，系统需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CL延迟越低越好。