近日从有关方面获悉，半导体制造公司台积电（TSMC）宣布，他们将开始为客户提供40nm工艺芯片的代工服务。该公司在AMD、IBM和英特尔已经采用45nm工艺的情况下，宣布放弃45nm工艺，直接转向采用更加先进的40nm工艺，为客户代工生产芯片。

台积电高级技术市场总监Jon Wai表示：“我们的技术，可以确保原本45nm芯片完美转移到40nm工艺。台积电投入心力，确保这种转移是透明的，芯片设计师只需要集中精力实现其性能目标。”

台积电已经运用40nm工艺制造出了SRAM验证芯片，它有业界最小的0.242微米芯片尺寸，芯片面积比目前的45nm更小，密度是台积电之前的65nm工艺的2.35倍。台积电40nm工艺采用极端低介电系数材料和193nm浸没光刻工艺。

与目前的45nm相比，40nm在工艺上前进了一小步。我们获悉，台积电40nm工艺将有侧重功耗的40LP和侧重性能的40G两个方案。其中40LP方案将主要用来生产无线通信芯片和移动芯片，40G方案将主要来代工游戏机芯片、图形芯片和其他高性能芯片。

台积电并没有提供采用40nm工艺的客户名单。不过，目前台积电的主要客户包括AMD、Broadcom、Conexant、NVIDIA与威盛，而且最近Sun Microsystems公司也选择了台积电来代工生产UltraSPARC处理器。特别是AMD旗下的ATI有率先采用台积电最新工艺的传统，比如Rv670芯片成为第一个采用台积电55nm工艺的图形芯片产品。

因此，我们预期ATI图形芯片将在今年年底或者明年年初率先采用40nm工艺。